Instituto de Tecnología Microelectrónica
Instituto
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Universitat Politècnica de Catalunya
Barcelona, EspañaPublicaciones en colaboración con investigadoras/es de Universitat Politècnica de Catalunya (1)
2008
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Very low surface recombination velocity of crystalline silicon passivated by phosphorus-doped a-SiCxNy:H(n) alloys
Progress in Photovoltaics: Research and Applications, Vol. 16, Núm. 2, pp. 123-127