Very low surface recombination velocity of crystalline silicon passivated by phosphorus-doped a-SiCxNy:H(n) alloys

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Revista:
Progress in Photovoltaics: Research and Applications

ISSN: 1062-7995,  1099-159X

Año de publicación: 2008

Volumen: 16

Número: 2

Páginas: 123-127

Tipo: Artículo

DOI: 10.1002/PIP.802 GOOGLE SCHOLAR
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