Instituto de Tecnología Microelectrónica
Institut
Universitat Politècnica de Catalunya
Barcelona, EspañaPublikationen in Zusammenarbeit mit Forschern von Universitat Politècnica de Catalunya (1)
2008
-
Very low surface recombination velocity of crystalline silicon passivated by phosphorus-doped a-SiCxNy:H(n) alloys
Progress in Photovoltaics: Research and Applications, Vol. 16, Núm. 2, pp. 123-127