Etch and growth rates of GaN for surface orientations in the <0001> crystallographic zone: Step flow and terrace erosion/filling via the Continuous Cellular Automaton

  1. Guo, X.
  2. Gosalvez, M.A.
  3. Xing, Y.
  4. Chen, Y.
Revista:
Materials Science in Semiconductor Processing

ISSN: 1369-8001

Año de publicación: 2023

Volumen: 153

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.MSSP.2022.107173 GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: Scopus