Erratum: Enhancement of the spin accumulation at the interface between a spin-polarized tunnel junction and a semiconductor (Physical Review Letters (2009) 102 (036601))
- Tran, M.
- Jaffrès, H.
- Deranlot, C.
- George, J.-M.
- Fert, A.
- Miard, A.
- Lemaître, A.
ISSN: 0031-9007, 1079-7114
Año de publicación: 2011
Volumen: 107
Número: 24
Tipo: Errata