Ab initio Modelling of Plasmons in Metal-semiconductor Bilayer Transition-metal Dichalcogenide Heterostructures

  1. Sen, H.S.
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  5. Rubio, A.
Revista:
Israel Journal of Chemistry

ISSN: 1869-5868 0021-2148

Año de publicación: 2017

Volumen: 57

Número: 6

Páginas: 540-546

Tipo: Artículo

DOI: 10.1002/IJCH.201600122 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor