Estructura amorfa de la composicion eutectica del sistema semiconductor al-te. (al sub 23 te sub 77)

  1. ANJOU D'ANJOU ALICIA D'
Dirigée par:
  1. Francisco Sanz Ruiz Directeur/trice

Université de défendre: Universidad de Navarra

Année de défendre: 1979

Jury:
  1. Diego Ramírez Duro President
  2. Jaime Iñiguez Herrero Secrétaire
  3. Sagrario Martinez Carrera Rapporteur
  4. Severino Garcia Blanco Rapporteur
  5. Antonio Bernalte Miralles Rapporteur

Type: Thèses

Teseo: 3310 DIALNET

Résumé

La determinacion de la estructura amorfa del al sub 23 te sub 77 ha sido realizada por tecnicas de rayos x y metodos de resolucion de tipo aleatorio conocido con el nombre de montecarlo. El material se obtuvo por quenching en nitrogeno liquido de la mezcla fundida. Partiendo de las intensidades de difraccion de rayos x se llego a la conclusion de que la estructura mas probable para el material es el entramado tridimensional de enlaces convalentes alrededor de los atomos de aluminio con esquema de enlace identico al del al sub 2 te sub 3 cristalino con exceso de teluro sobre la composicion 2:3 uniendo estos grupos tetraedricos y estabilizando el material. El modelo de estructura realizado con metodos montecarlo se hace en dos partes claramente diferenciadas. El ajuste de estas dos funciones es del 4 2% que refinado en los factores isotropicos de temperatura se reduce a un 3 8%. Queda indeterminado el hecho de separacion de fases o no en el compuesto.