Estructura amorfa de la composicion eutectica del sistema semiconductor al-te. (al sub 23 te sub 77)

  1. ANJOU D'ANJOU ALICIA D'
Supervised by:
  1. Francisco Sanz Ruiz Director

Defence university: Universidad de Navarra

Year of defence: 1979

Committee:
  1. Diego Ramírez Duro Chair
  2. Jaime Iñiguez Herrero Secretary
  3. Sagrario Martinez Carrera Committee member
  4. Severino Garcia Blanco Committee member
  5. Antonio Bernalte Miralles Committee member

Type: Thesis

Teseo: 3310 DIALNET

Abstract

La determinacion de la estructura amorfa del al sub 23 te sub 77 ha sido realizada por tecnicas de rayos x y metodos de resolucion de tipo aleatorio conocido con el nombre de montecarlo. El material se obtuvo por quenching en nitrogeno liquido de la mezcla fundida. Partiendo de las intensidades de difraccion de rayos x se llego a la conclusion de que la estructura mas probable para el material es el entramado tridimensional de enlaces convalentes alrededor de los atomos de aluminio con esquema de enlace identico al del al sub 2 te sub 3 cristalino con exceso de teluro sobre la composicion 2:3 uniendo estos grupos tetraedricos y estabilizando el material. El modelo de estructura realizado con metodos montecarlo se hace en dos partes claramente diferenciadas. El ajuste de estas dos funciones es del 4 2% que refinado en los factores isotropicos de temperatura se reduce a un 3 8%. Queda indeterminado el hecho de separacion de fases o no en el compuesto.