Estructura amorfa de la composicion eutectica del sistema semiconductor al-te. (al sub 23 te sub 77)

  1. ANJOU D'ANJOU ALICIA D'
Zuzendaria:
  1. Francisco Sanz Ruiz Zuzendaria

Defentsa unibertsitatea: Universidad de Navarra

Defentsa urtea: 1979

Epaimahaia:
  1. Diego Ramírez Duro Presidentea
  2. Jaime Iñiguez Herrero Idazkaria
  3. Sagrario Martinez Carrera Kidea
  4. Severino Garcia Blanco Kidea
  5. Antonio Bernalte Miralles Kidea

Mota: Tesia

Teseo: 3310 DIALNET

Laburpena

La determinacion de la estructura amorfa del al sub 23 te sub 77 ha sido realizada por tecnicas de rayos x y metodos de resolucion de tipo aleatorio conocido con el nombre de montecarlo. El material se obtuvo por quenching en nitrogeno liquido de la mezcla fundida. Partiendo de las intensidades de difraccion de rayos x se llego a la conclusion de que la estructura mas probable para el material es el entramado tridimensional de enlaces convalentes alrededor de los atomos de aluminio con esquema de enlace identico al del al sub 2 te sub 3 cristalino con exceso de teluro sobre la composicion 2:3 uniendo estos grupos tetraedricos y estabilizando el material. El modelo de estructura realizado con metodos montecarlo se hace en dos partes claramente diferenciadas. El ajuste de estas dos funciones es del 4 2% que refinado en los factores isotropicos de temperatura se reduce a un 3 8%. Queda indeterminado el hecho de separacion de fases o no en el compuesto.