Estudio de la estructura de defectos en aleaciones metálicas y compuestos semiconductores mediante la técnica de la aniquilación de positrones
Universidad de defensa: Universidad del País Vasco - Euskal Herriko Unibertsitatea
Año de defensa: 1987
- Fernando Agulló López Presidente/a
- Manuel Tello León Secretario/a
- Nieves Menéndez González Vocal
- Pedro Miguel Etxenike Landiribar Vocal
Tipo: Tesis
Resumen
LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS DE LA SERIE DE ALEACIONES METALICAS AL-ZN-MG Y LA DE LOS COMPUESTOS SEMICONDUCTORES III-V GAAS Y INP Y DEL II-VI CDTE HAN SIDO ESTUDIADAS MEDIANTE LA ESPECTROSCOPIA DE TIEMPOS DE VIDA DEL POSITRON MEDIDAS DE ENSANCHAMIENTO DOPPLER EN LA ENERGIA DE LOS FOTONES DE ANIQUILACION Y LA TECNICA DE LOS POSITRONES LENTOS. EN LAS ALEACIONES METALICAS SE HA ESTUDIADO EL EFECTO DE LA COMPOSICION QUIMICA DE LA ALEACION Y DEL TIEMPO DE ENVEJECIMIENTO A TEMPERATURA AMBIENTE EN MUESTRAS TEMPLADAS DESDE ALTA TEMPERATURA EN LA FORMACION DE DISTINTAS ZONAS DE GUINIER-PRESTON. TANTO LA ESTABILIDAD DE LAS ZONAS COMO LA NUCLEACION DE NUEVOS PRECIPITADOS TAMBIEN HA SIDO ESTUDIADA. EN EL CASO DE LOS SEMICONDUCTORES BINARIOS LA NATURALEZA DE LOS DEFECTOS TIPO VACANTE OBSERVADOS EN LOS SEMICONDUCTORES NATIVOS Y SU COMPORTAMIENTO HA SIDO DISCUTIDO ASI COMO LA INFLUENCIA DEL ATOMO DOPANTE EN LOS PARAMETROS DE ANIQUILACION. TAMBIEN SE HA ESTUDIADO LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS PRODUCIDA POR LA IRRADIACION CON ELECTRONES Y NEUTRONES.