Estudio de la estructura de defectos en aleaciones metálicas y compuestos semiconductores mediante la técnica de la aniquilación de positrones
Defentsa unibertsitatea: Universidad del País Vasco - Euskal Herriko Unibertsitatea
Defentsa urtea: 1987
- Fernando Agulló López Presidentea
- Manuel Tello León Idazkaria
- Nieves Menéndez González Kidea
- Pedro Miguel Etxenike Landiribar Kidea
Mota: Tesia
Laburpena
LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS DE LA SERIE DE ALEACIONES METALICAS AL-ZN-MG Y LA DE LOS COMPUESTOS SEMICONDUCTORES III-V GAAS Y INP Y DEL II-VI CDTE HAN SIDO ESTUDIADAS MEDIANTE LA ESPECTROSCOPIA DE TIEMPOS DE VIDA DEL POSITRON MEDIDAS DE ENSANCHAMIENTO DOPPLER EN LA ENERGIA DE LOS FOTONES DE ANIQUILACION Y LA TECNICA DE LOS POSITRONES LENTOS. EN LAS ALEACIONES METALICAS SE HA ESTUDIADO EL EFECTO DE LA COMPOSICION QUIMICA DE LA ALEACION Y DEL TIEMPO DE ENVEJECIMIENTO A TEMPERATURA AMBIENTE EN MUESTRAS TEMPLADAS DESDE ALTA TEMPERATURA EN LA FORMACION DE DISTINTAS ZONAS DE GUINIER-PRESTON. TANTO LA ESTABILIDAD DE LAS ZONAS COMO LA NUCLEACION DE NUEVOS PRECIPITADOS TAMBIEN HA SIDO ESTUDIADA. EN EL CASO DE LOS SEMICONDUCTORES BINARIOS LA NATURALEZA DE LOS DEFECTOS TIPO VACANTE OBSERVADOS EN LOS SEMICONDUCTORES NATIVOS Y SU COMPORTAMIENTO HA SIDO DISCUTIDO ASI COMO LA INFLUENCIA DEL ATOMO DOPANTE EN LOS PARAMETROS DE ANIQUILACION. TAMBIEN SE HA ESTUDIADO LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS PRODUCIDA POR LA IRRADIACION CON ELECTRONES Y NEUTRONES.