Modelado de efectos de alta corriente y alta inyección en transistores bipolares

Abstract

EN ESTA TESIS SE HA REALIZADO UN ESTUDIO DE LOS PARAMETROS QUE GOBIERNAN EL COMPORTAMIENTO ELECTRICO DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES, TENIENDO EN CUENTA LOS EFECTOS DE ALTA INYECCION Y ALTA CORRIENTE QUE APARECEN FUNDAMENTALMENTE EN LOS TRANSISTORES DE REDUCIDAS DIMENSIONES. SE HAN ANALIZADO DE FORMA CRITICA, CONTRASTANDO LOS RESULTADOS MEDIANTE SIMULADORES NUMERICOS, LOS MODELOS ANALITICOS CONSIDERADOS CONVENCIONALES, ASI COMO, SUS VARIANTES PRESTANDO ESPECIAL HINCAPIE EN AQUELLOS QUE CENTRAN SU ATENCION EN LA REGION DE COLECTOR ENTRE LOS QUE MERECE DESTACAR EL MODELO DESARROLLADO POR JEANG Y FOSSUM. UN ANALISIS Y REVISION CRITICA DE LAS HIPOTESIS EFECTUADAS EN LOS MODELOS ANTERIORES, CONDUCE A UNA SERIE DE DEFICIENCIAS QUE SON CONTRASTADAS CON MODELOS ANALITICOS PROPIOS, DESARROLLADOS A LO LARGO DE ESTE TRABAJO, Y CON MODELOS NUMERICOS ESTANDAR (PC-1D.MEDICI). FINALMENTE, SE EXPONE UN NUEVO MODELO MATEMATICO PARA LAS CORRIENTES BASE Y COLECTOR, BAJO UNA VISION UNIFICADA DE DICHAS REGIONES, QUE SUBSANA LAS IMPERFECCIONES Y DEFECTOS ENCONTRADOS EN LOS MODELOS PRECEDENTES OBTENIENDOSE BUENA CORRELACION CON LOS MODELOS NUMERICOS.