PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE CELULAS SOLARES DE SILICIO CON ESTRUCTURA DE CAMPO RETRODIFUSOR, BAJO ESPESOR DE BASE Y METALIZACION SERIGRAFICA.

    Inventores/as:
  1. JUAN CARLOS JIMENO CUESTA
  2. JOSE RUBEN GUTIERREZ SERRANO
  3. FERNANDO HERNANDO BRIONGOS
  4. FEDERICO RECART BARAÑANO
  5. GORKA BUENO MENDIETA
  6. MARIA VELIA RODRIGUEZ CUESTA
  7. SUSANA URIARTE DEL RIO
  8. VICTOR ENRIQUE MARTINEZ SANTOS
  9. MARIA JOSE SAENZ NOVALES
  10. CARMEN ICARAN SALEGUI
  1. Universidad del País Vasco/Euskal Herriko Unibertsitatea
    info

    Universidad del País Vasco/Euskal Herriko Unibertsitatea

    Lejona, España

ES
Publicación principal:

ES2149126A1 (16-10-2000)

Otras Publicaciones:

ES2149126B1 (16-05-2001)

Solicitudes:

P9900040 (11-01-1999)

Imagen de la patente

Resumen

Procedimiento para la fabricación de células solares de silicio, con estructura de campo retrodifusor, bajo espesor de base y metalización serigráfica. El procedimiento comprende reducir el espesor del substrato de partida (oblea) mediante un ataque químico al silicio, difundir boro, enmascarar una cara de la oblea, ataca químicamente la otra y difundir fósforo. Un ataque autocontrolado de la superficie del boro permite realizar contactos eléctricos poco agresivos. La metalización de ambas caras se efectúa por deposición de una pasta serigráfica de plata que no contiene aluminio. El procedimiento es compatible con texturados de las superficies, deposición de capas antirreflectantes y limpiezas de la oblea. El procedimiento es útil para fabricar células solares con elevada eficiencia de conversión luz/electricidad.

INVENES: P9900040