Grupo de Semiconductores y Diseño Electrónico (Semiconductors and Electronic Design Group - GIU 21/052
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Universitat Politècnica de Catalunya
Barcelona, EspañaPublikationen in Zusammenarbeit mit Forschern von Universitat Politècnica de Catalunya (1)
2008
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Very low surface recombination velocity of crystalline silicon passivated by phosphorus-doped a-SiCxNy:H(n) alloys
Progress in Photovoltaics: Research and Applications, Vol. 16, Núm. 2, pp. 123-127