High-mobility two-dimensional MA2 N4 (M = Mo, W; A = Si, Ge) family for transistors

  1. Xiao, W.-H.
  2. Yang, K.
  3. D'Agosta, R.
  4. Xu, H.-R.
  5. Ouyang, G.
  6. Zhou, G.
  7. Chen, K.-Q.
  8. Tang, L.-M.
Revista:
Physical Review B

ISSN: 2469-9969,  2469-9950

Año de publicación: 2024

Volumen: 109

Número: 11

Tipo: Artículo

DOI: 10.1103/PHYSREVB.109.115427 GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: Scopus