Positroi-Deuseztapen Erdibizitzaren Espektroskopia BidezkoEzaugarritze Mikroestrukturala Memoria Formadun Aleazio eta Isolatzaile Topologikoetan

  1. I. Unzueta 1
  2. E. Axpe 1
  3. D. Merida 1
  4. E. Legarra 1
  5. N. Zabala 1
  6. V. Sánchez Alarcos 2
  7. I. Pérez Landazabal 2
  8. V. Recarte 2
  9. V. Muñoz San José 1
  10. F. Plazaola 1
  1. 1 Euskal Herriko Unibertsitatea/Universidad del País Vasco
  2. 2 Universidad Pública de Navarra
    info

    Universidad Pública de Navarra

    Pamplona, España

    ROR https://ror.org/02z0cah89

Liburua:
I. IkergazteNazioarteko ikerketa euskaraz. Kongresuko artikulu-bilduma: 2015eko maiatzaren 13, 14 eta 15a. Durango, Euskal Herria
  1. Iñaki Alegría (ed. lit.)
  2. Ainhoa Latatu (ed. lit.)
  3. Miren Josu Ormaetxeberria (ed. lit.)

Argitaletxea: Udako Euskal Unibertsitatea, UEU = Universidad Vasca de Verano

ISBN: 978-84-8438-539-4

Argitalpen urtea: 2015

Orrialdeak: 371-375

Biltzarra: Ikergazte. Nazioarteko Ikerketa Euskaraz (1. 2015. Durango)

Mota: Biltzar ekarpena

DIALNET GOOGLE SCHOLAR lock_openSarbide irekia editor

Laburpena

Positroi-deuseztapen erdibizitzaren espektroskopia (PALS) erabiliz, memoria formadun aleazio etaBi2Se3 isolatzaile topologikoa ezaugarritu da. Aleazioen kasurako, hutsuneen dentsitatea, transformaziomartensitikoaren tenperatura zein propietate magnetikoak erlazionaturik daude. Hutsune hauen kontzentrazioak PALS teknikaren bidez neurtzen dira. Bi2Se3 isolatzaile topologikoei dagokionez, egiturakristalinoan ager daitezkeen defektuek zein beren izaerak haien egitura elektronikoa eralda dezakete.Gure lehenengo emaitzen arabera, as-grown laginen akats natiboak honako hauek dira: dira: i) Vande Walls indarren bitartez elkarturiko geruzetan kokatzen diren selenio hutsuneak, eta ii) kargaturikotranpa ionikoak, segur aski antikokapen erako akatsak direnak.

Datuen iturria: Dialnet