New local electronic stopping model for the Monte Carlo simulation of arsenic ion implantation into (100) single-crystal silicon

  1. Yang, S.-H.
  2. Morris, S.
  3. Tian, S.
  4. Parab, K.
  5. Tasch, A.F.
  6. Echenique, P.M.
  7. Capaz, R.
  8. Joannopoulos, J.
Actas:
Materials Research Society Symposium - Proceedings

ISSN: 0272-9172

Año de publicación: 1995

Volumen: 389

Páginas: 77-82

Tipo: Aportación congreso