(Ga,In)(N,As)/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy for above 1.3 mu m low threshold lasers
- Damilano, B
- Barjon, J
- Hugues, M
- Duboz, JY
- Massies, J
- Ulloa, JM
- Montes, M
- Hierro, A
- Badenes, G (coord.)
- Abbott, D (coord.)
- Serpenguzel, A (coord.)
ISSN: 0277-786X, 1996-756X
ISBN: 0-8194-5835-X
Año de publicación: 2005
Volumen: 5840
Páginas: 781-789
Congreso: Conference on Photonic Materials, Devices and Applications
Tipo: Aportación congreso