MECHANISMS OF BAND BENDING AT CSOX/GAAS(110) INTERFACES - INFLUENCE OF OVERLAYER STOICHIOMETRY AND INTERFACIAL REACTIVITY

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Revista:
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B

ISSN: 1071-1023

Año de publicación: 1989

Volumen: 7

Número: 4

Páginas: 986-990

Tipo: Artículo

DOI: 10.1116/1.584591 GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: WoS