Una optimizacion secuencial para la extraccion de parametros del tipo gummel-poon derivada de la operacion en saturacion de transistores bipolares

Abstract

Los objetivos de este trabajo se inscriben dentro del ambito del diseño asistido por computador (c.A.D.) y se centran en el earea de la extraccion de parametros para modelos de transistores bipolares. Esto es un requisito inevitable para una precisa simulacion de circuitos analogicos. En particular se ha logrado establecer una nueva metodologia de extraccion de parametros estacionarios compatibles con los requeridos por los modelos empleados en los simuladores clasicos como por ejemplo spice. Esta toma su baseen los modos de saturacion de corriente y tension nula y constituye una nueva estrategia caracterizada por la secuencialidad de las etapas a desarrollar. Se ha puesto un enfasis especial en la determinacion de parametros del tipo resistivo en transistores bipolares de potencia media. En este sentido se propone una nueva y sencilla modelacion para la evolucion de la resistencia efectiva de base con el nivel de corriente. Dicha modelacion involucra tres parametros que son ademas consistentes con los empleados en el mencionado programa spice. Las diferentes contrastaciones efectuadas entre resultados experimentales y simulaciones condicionadas a diferentes procesos de extraccion han permitido otorgar un alto grado de aceptabilidad para la metodologia de extraccion propuesta.