La superficie de los siliciuros de tierras raras crecidos epitaxialmente sobre Si(111) estructura y propiedades eléctricas

Resumen

En esta tesis se aborda un tema de importante relevancia dentro de los sistemas de baja dimensionalidad: la determinación de la estructura atómica y electrónica de las superficies e intercaras de las uniones metal-semiconductor, concretamente, las uniones formadas por los silicuros de tierras raras pesadas crecidos, epitaxialmente sobre Si(111) para espesores mayores o iguales de una monocapa. Para ello, se han combinado numerosas técnicas experimentales de física de superficies y se ha realizado un detallado análisis mediante cálculos dinámicos y ab-initio. Principalmente, los estudios se han centrado en la superficie del siliciuro de itrio bidimensional y tridimensional, aunque, para la generalización de los resultados al conjunto de tierras raras se han llevado a cabo, también, estudios sobre otros siliciuros de tierras raras. Para facilitar el análisis de los experimentos de LEED que se realizaron para la caracterización estructural, en esta tesis, se ha desarrollado un método directo de análisis de las curvas de LEED-IV basado en la Función de Patterson. Este método se ha planteado como complemento al método tradicional de análisis de dichas curvas, útil en los primeros momentos del cálculo. Proponemos este método para la discriminación entre los modelos estructurales que hay que proponer para reproducir la estructura de una superficie.