Current-induced magnetization switching in atom-thick tungsten engineered perpendicular magnetic tunnel junctions with large tunnel magnetoresistance

  1. Wang, M.
  2. Cai, W.
  3. Cao, K.
  4. Zhou, J.
  5. Wrona, J.
  6. Peng, S.
  7. Yang, H.
  8. Wei, J.
  9. Kang, W.
  10. Zhang, Y.
  11. Langer, J.
  12. Ocker, B.
  13. Fert, A.
  14. Zhao, W.
Revista:
Nature Communications

ISSN: 2041-1723

Año de publicación: 2018

Volumen: 9

Número: 1

Tipo: Artículo

DOI: 10.1038/S41467-018-03140-Z GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
Fuente de los datos: Scopus