Reduced hydrogen diffusion in strained amorphous SiO2: Understanding ageing in MOSFET devices

  1. Sheikholeslam, S.A.
  2. Manzano, H.
  3. Grecu, C.
  4. Ivanov, A.
Zeitschrift:
Journal of Materials Chemistry C

ISSN: 2050-7526,  2050-7534

Datum der Publikation: 2016

Ausgabe: 4

Nummer: 34

Seiten: 8104-8110

Art: Artikel

DOI: 10.1039/C6TC02647H GOOGLE SCHOLAR

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