Long-living carriers in a strong electron–phonon interacting two-dimensional doped semiconductor

  1. Garcia-Goiricelaya, P.
  2. Lafuente-Bartolome, J.
  3. Gurtubay, I.G.
  4. Eiguren, A.
Revista:
Communications Physics

ISSN: 2399-3650

Año de publicación: 2019

Volumen: 2

Número: 1

Tipo: Artículo

DOI: 10.1038/S42005-019-0182-0 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
Fuente de los datos: Scopus