Separacion de componentes fisicas en corrientes de transistores bipolares integrados por una metodologia de contrastacion relativa

Abstract

Se aborda el problema de la separacion de componentes fisicas de la corriente de base en transistores operadores en la frontera entre region activa normal y saturacion en la que se manifiestan gran parte de la fisica del transistor. El soporte experimental han sido los datos de comportamiento altamente fiables y precisos de los cinco transitores integrados de cada uno de los cuatro bloquesoperados a tres temperaturas proximas. La idea aportada para esta descomposicion es la elaboracion de un modelo de descomposicion de complejividad progresiva tratando de asegurar por el contraste con los datos experimentales que modelos mas simples son insuficientes y al tiempo que orientan sobre la correcta necesidad de mejora. Esta evolucion condujo a un modulo finalmente aceptado que incorpora las diversas componentes de recombinacion acorde con efectos de alto nivel de inyeccion coherentes con las relaciones de gummel-poon y la desfocalizacion en la base aportando expresiones formales originales. Para el contraste de los datos experimentales se han desarrollado tecnicas que incorporan diagramas peorcentuales de descomposicion que han sido eficaz complemento de las tecnicas clasijas mejoradas. La contrastacion ha sido satisfactoria revelando no solamente peculiaridades de comportamiento de las transistores ensayados sino tambien consecuencias aplicables a la fisica generica del transistor en cuanto a la descomposicion e incluso a la dispersion.