Espectroscopia de reflectancia diferencial aplicada al estudio del crecimiento de dispositivos semiconductores III-V por epitaxia de haces moleculares

Resumen

Las conclusiones finales de este trabajo pueden resumirse en los siguientes puntos: 1) se ha puesto a punto y aplicado con éxito la técnica de reflectancia diferencial a la caracterización in-situ de diversos procesos de crecimiento porMBE de sistemas epitaxiales iii-v. 2) hemos desarrollado una nueva técnica de caracterización óptica in-situ, que hemos denominado espectroscopia de modulación química superficial, que permite realizar medidas espectroscopicas sobre las superficies reconstruidas de los compuestos iii-v. 3) se ha empleado esta nueva técnica para observar, por primera vez, las transiciones ópticas características de las superficies (001) de dos conjuntos de compuestos semiconductores iii-v. 4) con el fin de interpretar los espectros observados, hemos modelizado la absorción óptica asociada a los dimeros de las superficies (001) de los compuestos iii-v. Los valores teóricos de las posiciones energéticas de las transiciones ópticas y la evolución de las mismas en funcion de los distintos compuestos estan en buen acuerdo con los resultados experimentales. 5) por ultimo, la aplicación de la técnica a diferentes sistemas heteroepitaxiales (gainp/gaas, inas/alas, gaas/gap y puntos cuánticos inp/gap), demuestran la extraordinaria sensibilidad de la misma para la determinación in-situ de las especies químicas presentes en la superficie.