Estudio de la estructura de bandas de los semiconductores iii-iv bajo presion

Resumen

En la presente tesis se ha estudiado sistematicamente las propiedades de transporte, dieléctricas y ópticas en diferentes semiconductores III-VI. En la misma se ha determinado la dependencia con la presión de la constante dieléctrica estática perpendicular hasta 3 GPa para el GaS, el GaSe y el InSe. Por otro lado, en muestras de GaSe tipo p se ha observado un aumento de la concentración de huecos con la presión. Este aumento ha sido relacionado con el descenso de la energía de ionización de los aceptores. En muestras de InSe tipo n, se ha observado que aquellas dopadas con Sn y Si presentan comportamientos diferentes en sus parámetros de transporte. Estas diferencias han sido explicadas considerando la presencia de electrones 2D y 3D. En las muestras dopadas con Sn se ha observado una rápida disminución de la concentración de portadores por encima de 1 GPa. Este fenómeno fue relacionado con la presencia de un nivel profundo asociado a un mínimo subsidiario de la banda de conducción que se desplaza hacia menores energías con la presión. La presencia de este nivel se verifico mediante medidas de presión y temperatura. Finalmente, a partir de los espectros de absorción de muestrasde InGaSe, con distintas proporciones de Ga, se determinó la dependencia en presiónde los gaps directo e indirecto.