High-mobility two-dimensional MA2 N4 (M = Mo, W; A = Si, Ge) family for transistors

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Zeitschrift:
Physical Review B

ISSN: 2469-9969 2469-9950

Datum der Publikation: 2024

Ausgabe: 109

Nummer: 11

Art: Artikel

DOI: 10.1103/PHYSREVB.109.115427 GOOGLE SCHOLAR