Inversión de polarización y comportamiento crítico em ferrpeléctricos de la familia del (TGS)1-x (DTGS)x

  1. Aragó López, Carmen
unter der Leitung von:
  1. Julio A. Gonzalo Doktorvater/Doktormutter

Universität der Verteidigung: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 15 von September von 2000

Gericht:
  1. Francisco Jaque Rechea Präsident/in
  2. María del Carmen de las Heras Molinos Sekretär/in
  3. José de Frutos Vaquerizo Vocal
  4. Jesús Mendiola Díaz Vocal
  5. Manuel Tello León Vocal

Art: Dissertation

Teseo: 78824 DIALNET

Zusammenfassung

En esta Memoria se presentan los resultados del estudio sobre inversión de polarización o "switching" a campos bajos en ferroeléctricos de la familia del TGS. Se ha estudiado la dependencia del proceso con el campo aplicado, temperatura y composición, y se ha propuesto un modelo microscópico basado en la estructura de dominios para explicar los resultados experimentales. Asimismo se ha estudiado el efecto de la deuteración sobre la evolución del orden de la transición ferroeléctrica, mediante medidas de polarización espontánea, constante dieléctrica y espectroscopía Brillouin. Se ha propuesto tambien un modelo de campo efectivo cuantico para explicar la dependencia de la temperatura critica con la deuteración. También se presentan resultados de simulaciones de Monte Carlo clásicas y con efectos cuánticos. Por último se analiza la relación entre el carácter de la transición ferroeléctrica(orden-desorden vs, desplazativa) y el orden de la misma en términos del parametro de Rhodes-Wolfarth y de la entropía de transición.