Current-induced magnetization switching in atom-thick tungsten engineered perpendicular magnetic tunnel junctions with large tunnel magnetoresistance

  1. Wang, M.
  2. Cai, W.
  3. Cao, K.
  4. Zhou, J.
  5. Wrona, J.
  6. Peng, S.
  7. Yang, H.
  8. Wei, J.
  9. Kang, W.
  10. Zhang, Y.
  11. Langer, J.
  12. Ocker, B.
  13. Fert, A.
  14. Zhao, W.
Zeitschrift:
Nature Communications

ISSN: 2041-1723

Datum der Publikation: 2018

Ausgabe: 9

Nummer: 1

Art: Artikel

DOI: 10.1038/S41467-018-03140-Z GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor

Ziele für nachhaltige Entwicklung