Ab initio Modelling of Plasmons in Metal-semiconductor Bilayer Transition-metal Dichalcogenide Heterostructures

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Zeitschrift:
Israel Journal of Chemistry

ISSN: 1869-5868,  0021-2148

Datum der Publikation: 2017

Ausgabe: 57

Nummer: 6

Seiten: 540-546

Art: Artikel

DOI: 10.1002/IJCH.201600122 GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor

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