Long-living carriers in a strong electron–phonon interacting two-dimensional doped semiconductor

  1. Garcia-Goiricelaya, P.
  2. Lafuente-Bartolome, J.
  3. Gurtubay, I.G.
  4. Eiguren, A.
Zeitschrift:
Communications Physics

ISSN: 2399-3650

Datum der Publikation: 2019

Ausgabe: 2

Nummer: 1

Art: Artikel

DOI: 10.1038/S42005-019-0182-0 GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor
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