Espectroscopia de estrechamiento de línea resuelta en tiempo y conversión de energía infrarroja en visible del nd3+ en vidrios fluoroarsenatos

  1. LACHA ARTIGUEZ LUIS M.
unter der Leitung von:
  1. Joaquin M. Fernandez Rodriguez Doktorvater/Doktormutter

Universität der Verteidigung: Universidad del País Vasco - Euskal Herriko Unibertsitatea

Fecha de defensa: 05 von Oktober von 2001

Gericht:
  1. Carlos Santamaría Salazar Präsident/in
  2. María Asunción Illarramendi Leturia Sekretär/in
  3. Jose Rodriguez Garcia Vocal
  4. José Antonio Gistas Peyrona Vocal
  5. Concepción Cascales Vocal
Fachbereiche:
  1. Física Aplicada

Art: Dissertation

Teseo: 90006 DIALNET

Zusammenfassung

Es un trabajo de carácter eminentemente experimental, en el que se comienza definiendo con precisión los elementos instrumentales más adecuados a la técnica FLN que se va a utilizar y se describe la estrategia operativa más eficiente que permite extraer la mejor relación señal-ruido de las medidas experimentales. Se aborda el diseño, montaje, calibración y puesta a punto de una técnica de espectroscopía láser que permite realizar medidas de fluorescencia de estrechamiento de línea resuelta en tiempo, bajo excitación resonante, en matrices vítreas dopadas con Nd3+. El trabajo incluye la automatización del sistema experimental y un estudio detallado de los problemas inherentes a este tipo de técnicas instrumentales, en particular, el de sus límites operativos. El objetivo fundamental de la memoria es el estudio espectroscópico del ion Nd3+ en matrices amorfas de vidrios fluoroarsenatos mediante la técnica TRFLN con el objeto de establecer los mecanismos que operan en los procesos de migración de energía entre los iones excitados en el nivel metaestable 4F3/2. El estudio comprende la estimación de la dependencia del parámetro de transferencia medio con la energía de excitación y con la concentración de iones en el vidrio. Finalmente, se presenta un estudio preliminar de los procesos de conversión de energía infrarroja en visible obtenidos bajo excitación de los niveles 4F3/2 y 4F5/2; procesos que tienen gran importancia, pues afectan a la población de los niveles metaestables y por lo tanto pueden afectar al rendimiento de la emisión láser desde el estado 4F3/2.